加码新技术 三安设立Mini/Micro LED研发基地
栏目:公司资讯 发布时间:2019-09-06 16:53

导语: 据业内人士称,三安光电目前正在中国中部建设一个Mini/Micro 澳门bbin官网平台LED研发基地,投资额为120亿元人民币(17亿美元)。

  据业内人士称,三安光电目前正在中国中部建设一个Mini/Micro LED研发基地,投资额为120亿元人民币(17亿美元)。

  消息人士表示,三安将在该研发基地展开GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K显示器的研发。与此同时,三安还计划在该基地建立161万个GaN Mini/Micro LED芯片、750,000个GaAs Mini/Micro LED芯片以及84,000个4K显示器的年生产能力。GaN业务部门年产能将包括720,000个蓝光Mini LED芯片、90,000个蓝光Micro LED芯片、720,000个绿光Mini LED芯片和80,000个绿光Micro LED芯片,而GaAs业务部分年产能将包括660,000个红光Mini LED芯片和90,000个红光Micro LED芯片。

  然而,消息人士指出,三安光电目前尚未透露何时开始生产GaN和GaAs Micro LED芯片。

  此外,三安光电已经与三星电子合作,共同开发Mini/Micro LED技术。

  而总部位于中国台湾的PlayNitride,则计划在2019年8月底开始试产多达3000片LED外延片,而三星也已选择PlayNitride作为其Micro LED外延片的独家供应商。

编辑:严志祥

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